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半導體泵浦激光原理實驗裝置_WGL-2

簡要描述:WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗,本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象,讓學生自己動手,調整激光器光路,產生1064nm激光。在腔中插入KPT晶體產生532nm倍頻光,觀察倍頻現象,測量倍頻效率,相位匹配角等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定了解。

  • 產品型號:WGL-2
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-07-17
  • 訪  問  量:1494
詳情介紹

 

儀器簡介
  WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗,本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象,讓學生自己動手,調整激光器光路,產生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕產生532nm倍頻光,觀察倍頻現象,測量倍頻效率,相位匹配角等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定了解。
   
成套性
光學導軌,二維調節(jié)架,四維調節(jié)架
泵浦光源 808nm半導體激光器

指示光源 632.8nm氦氖激光器
激光晶體  Nd:YVO4
倍頻晶體 KTP
輸出鏡
光功率測試儀
紅外顯示卡
濾光片

 

 

技術參數
1.半導體激光器可調電源      電流0~500mA
2.808nm半導體激光器        ≤500mW
連續(xù)輸出功率P            0.5 W
中心波長 λ               808±10 nm
偏 振                    TE
工作溫度 To             10~40℃
3.Nd:YVO4 晶體           3×3×1mm3
摻Nd濃度               0.1~3.0atm%
標準尺寸                 3×3×1mm3
平面度                   <λ/10 @632.8nm
鍍膜                     AR@1064nm,R<0.1%,HT@808 nm,T>90%
4.KTP倍頻晶體              2×2×5mm3
透過波段:               0.35~4.5μm
電光系數:               γ 33=36Pm/V
5.輸出鏡(前腔片)          φ6 R=50mm
6.光功率指示儀              2μW~200mW 6擋
7.He-Ne激光器準直光源      632.8nm ≤1mW
8.紅外顯示卡                可觀察0.7~1.6um的近紅外光
9.光學導軌                  1000mm
 

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